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NTTFS5820NL
TYPICAL CHARACTERISTICS
1800
1600
1400
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
8
Q T
1200
1000
6
800
600
400
200
0
0
C oss
C rss
10
20
30
40
50
60
4
2
0
0
Q gs
5
Q gd
10
15
20
V DS = 48 V
I D = 10 A
T J = 25 ° C
25
30
1000
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
40
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Charge
100
V DD = 48 V
I D = 10 A
V GS = 4.5 V
30
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
t f
t d(on)
t d(off)
20
10
10
1
1
10
100
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
50
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
10
V GS = 10 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
100 m s
1 ms
10 m s
40
30
10 ms
20
1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
dc
10
Package Limit
0.1
0.1
1 10
100
0
25
50 75 100 125
150
V DS , DRAISN VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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